薄膜沉积
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  • 设备分类:薄膜沉积     型号:FU-12PEB     房间:D209 简介:电子束蒸发设备‌是一种基于电子束加热原理的真空镀膜设备,属于物理气相沉积技术的一种,广泛用于集成电路芯片、无线通讯芯片、光通讯芯片、半导体激光芯片等制造,沉积各类金属薄膜。 查看更多
  • 设备分类:薄膜沉积     型号:MINI TYTAN3600     房间:D115 简介:用于LPCVD沉积SiO2薄膜,TEOS源和氧气在一定温度和压力下,发生反应生成SiO2和挥发性副产物,沉积的SiO2具有良好的台阶覆盖性。此台LPCVD配有两根炉管,分别用于用于沉积SiO2和退火。 查看更多
  • 设备分类:薄膜沉积     型号:Orion8     房间:D117 简介:Orion 8多靶磁控溅射镀膜系统用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。 查看更多
  • 设备分类:薄膜沉积     型号:R-200 Advanced     房间:D115 简介:原子层沉积 PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现极佳的均匀性,包括最具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。 查看更多
  • 设备分类:薄膜沉积     型号:Discovery HDG     房间:D117 简介:反应离子束薄膜沉积设备Denton Discovery HDG是一种薄膜沉积工艺,也称为离子束溅射(Ion Beam Sputtering,简称IBS)。这种工艺使用离子源将靶材(金属或电介质)沉积或溅射到基片上,以形成金属或电介质膜。 查看更多
  • 设备分类:薄膜沉积     型号:OTFC-900 DBI     房间:D区1楼 简介:光学镀膜机OTFC-900 DBI是用于生产红外截止滤光片、分色滤光片等成膜的真空镀膜装置。 查看更多
  • 设备分类:薄膜沉积     型号:EVO50 Si-Ge MBE     房间:D区1楼 简介:实现高质量锗硅光电子材料的生长,例如硅基Ge薄膜材料生长,Ge量子点的外延生长,硅基Si1-xGex量子阱的外延生长。 查看更多
  • 设备分类:薄膜沉积     型号:MINI TYTAN4600     房间:D115 简介:用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并沉积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低,气体分子的平均自由程和扩散系数大,并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。 查看更多
  • 设备分类:薄膜沉积     型号:JCPY600     房间:D区1楼 简介:进行薄膜新材料的科研与小批量制备。平台提供以下材料的靶材:Al、Cr、Ni-Cr(80Ni:20Cr wt%)、Ti、Cu、SiO2、W。其他材料请自备靶材。样品托盘为4英寸和8英寸。 查看更多
  • 设备分类:薄膜沉积     型号:ELEGANT II-200     房间:D115 简介:原子层沉积 ELEGANT II-200 系列是原磊纳米的第二代研发型ALD/ALE设备,采用双腔设计从最大程度上保证了沉积的稳定性和源利用率,特别适合泛半导体、化合物、特殊记忆体、MEMS和光学器件上的薄膜沉积。 查看更多
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