薄膜沉积
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硅酸乙酯低压化学气相沉积系统 TEOS LPCVD


发布人:许 蔚    发布时间:2026-03-31     点击:

       

中文名:硅酸乙酯低压化学气相沉积系统

英文名:TEOS LPCVD

仪器型号:MINI TYTAN3600

设备分类:薄膜沉积

房间:D115

负责人:方 程/张广学


生产厂家:

TYSTAR USA

仪器介绍:

用于LPCVD沉积SiO2薄膜,TEOS源和氧气在一定温度和压力下,发生反应生成SiO2和挥发性副产物,沉积的SiO2具有良好的台阶覆盖性。平台此台LPCVD配有两根炉管,分别用于用于沉积 SiO2和退火。

主要功能:

第一管:沉积SiO2

第二管: N2 ANNEAL退火

技术指标:

样品舟为4英寸,6英寸。恒温区45cm,单管最多容纳2舟,单舟放置25片;温度控制采用前馈算法,3点式R型内热电偶用于炉管温度控制,外热偶控温和功率测量控温用于备份控温;控温精度:≤±0.5@250-1250,温度分辨率:0.1

注意事项:

本说明针对LPCVD标准工艺,每管承载一个石英舟,每石英舟承载25片4英寸、6英寸标准晶圆,气流稳定,以保障工艺重复性。关于碎片工艺:公共平台已扩展碎片舟托,因气流扰动,因需根据样品形状、舟内排布气流分布差异,碎片成膜速率需各自测定。

价格:

校内:镀SiO2900元/h,退火:400元/h

校外:镀SiO21100元/h,退火:600元/h

单位预约时间:30(单位:分钟)

状态:

正常

设备大图:

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