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中文名：原子层沉积 |
英文名：ALD |
仪器型号：R-200 Advanced |
设备分类：薄膜沉积 |
房间：D115 |
负责人：徐 巍 |
生产厂家：
芬兰Picosun
仪器介绍：
PICOSUN™ R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现极佳的均匀性，包括最具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。为液体、气体和固体化学物提供的更高级的，易更换的前驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度最小的薄膜层。在最基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个独立的，完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN™ R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN™ P系列ALD系统。
主要功能：
该设备配置4路液态源，2路固态源，2路气态源。
技术指标：
用于金属氧化物薄膜沉积，如Al2O3，HfO2等。样品最大尺寸6英寸圆片，最小尺寸不限制；样品高度≤1cm；最高升温450°C；配备等离子增强系统
沉积Al2O3 ：基片为6英寸圆硅片，厚度30nm，速率：0.97Å/C，整片厚度不均匀性≤1%
沉积HfO2 ：基片为6英寸圆硅片，厚度25nm，速率：0.85Å/C，整片厚度不均匀性≤0.6%
价格：
校外：900元/60分钟
校内：700元/60分钟
单位预约时间：30单位:分钟
状态：正常
设备大图：
