光刻工艺
电子束光刻系统(EBL)
EVG紫外曝光机
MA8 BA8紫外曝光机
4英寸晶圆真空接触曝光模式
无掩膜光刻机
步进光刻机
纳米压印
双层胶工艺
| 设备名称 | 支持基片尺寸 | 掩模版尺寸 | 光源 | 最高分辨率 | 正面套刻精度 | 背面套刻精度 | 备注 |
| 电子束光刻系统(EBL) | 2/3/4英寸及4cm以下方片 | GDS格式文件 | 电子源 | 7nm | 25nm | / | |
| EVG紫外曝光机 | 碎片及2/3/4英寸晶圆 | 2/3/4英寸 | i/g/h线 LED光源 | 0.8um | 0.5um | 1um | 具有键合预对准功能 |
| MA8 BA8紫外曝光机 | ＞6mm碎片及2/3/4/5/6/8英寸晶圆 | 2/3/4/5/7/9英寸 | i/g/h线 LED光源 | 0.8um | 0.5um | 1um | |
| 无掩模光刻机 | ≤100*100mm,厚度:≤15 mm | GDS格式文件 | 405nm LED光源 | 1um | 0.5um | / | |
| 步进光刻机 | 2*2-3*3mm及2英寸晶圆/4片 | 5英寸（带定位标记） | 365nm汞灯 | 0.5um | 0.2um | / | |
| 纳米压印 | 碎片-3英寸;厚度：≤2 mm | 需要母模板 | UV光源 | 20nm | / | / | 温度：室温-200℃；压力：5-70 bar |
| 配套设备 | |||||||
| 匀胶机 | 支持基片尺寸：1cm-8英寸；转速：＜10000rpm/min | ||||||
| 加热台 | 温度：室温-200℃；温度稳定性：±0.2℃ | ||||||
| HMDS烘箱 | 控温范围：50-250℃；加热方式：四面加热；控温精度：±0.5℃；内部尺寸：W415mm*D379mm*H345mm | ||||||
