所有设备-先进微纳加工中心

设备分类：光刻设备 型号：EVG620NT 房间：D区1楼 简介：EVG紫外曝光机是一款通用性和可靠性极强的光刻机，提供先进的掩膜对准技术。查看更多

设备分类：测试设备 型号：RC2 房间：D111 简介：椭偏仪RC2是一种探测薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量仪器。已知入射光的偏振态，偏振光在样品表面被反射，测量得到反射光的偏振态、幅度、相位，拟合得出材料的折射率和消光系数等光学常数信息。查看更多

引线键合机HB05

设备分类：封装设备 型号：HB05 房间：D115 简介：主要用于电子及半导体领域的金丝球焊及楔焊、铝丝楔焊、金带楔焊技术指标楔形、球、凸点和带键合；17微米至75微米引线和25微米×250微米线带；超声功率0-10W；键合力5-130cNm;键合时间0-1秒查看更多

分子束外延生长系统（MBE）

设备分类：薄膜沉积 型号：EVO50 Si-Ge MBE 房间：D区1楼 简介：实现高质量锗硅光电子材料的生长，例如硅基Ge薄膜材料生长，Ge量子点的外延生长，硅基Si1-xGex量子阱的外延生长。查看更多

低压化学气相沉积系统 LPCVD

设备分类：薄膜沉积 型号：MINI TYTAN4600 房间：D115 简介：用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并沉积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低，气体分子的平均自由程和扩散系数大，并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。查看更多

傅立叶变换红外光谱仪 VERTEX 80v FTIR

设备分类：测试设备 型号：VERTEX 80v 房间：D116 简介：傅立叶变换红外光谱仪 VERTEX 80v 基于对干涉后的红外光进行傅里叶交换的技术，主要用于测试固体薄膜样品的透过率或吸光度随波数变化的红外吸收光谱图。查看更多

8英寸磁控溅射镀膜机

设备分类：薄膜沉积 型号：JCPY600 房间：D区1楼 简介：进行薄膜新材料的科研与小批量制备。平台提供以下材料的靶材：Al、Cr、Ni-Cr(80Ni:20Cr wt%)、Ti、Cu、SiO2、W。其他材料请自备靶材。样品托盘为4英寸和8英寸。查看更多

原子层沉积ALD

设备分类：薄膜沉积 型号：ELEGANT II-200 房间：D115 简介：原子层沉积 ELEGANT II-200 系列是原磊纳米的第二代研发型ALD/ALE设备，采用双腔设计从最大程度上保证了沉积的稳定性和源利用率,特别适合泛半导体、化合物、特殊记忆体、MEMS和光学器件上的薄膜沉积。查看更多

铌酸锂-硅刻蚀机-NLD

设备分类：刻蚀设备 型号：NLD 570 房间：D115 简介：搭载了磁性中性线离子源的装置，此NLD技术可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子。可以产生与ICP方式相比更低压、高密度、更低电子温度等离子体，用于高硬度材料刻蚀，可获得形貌及刻蚀侧面。查看更多

ICP-新Ⅲ-Ⅴ族

设备分类：刻蚀设备 型号：Cobra 180 房间：D115 简介：ICP-新Ⅲ-Ⅴ（Cobra 180）具有快速气体切换功能，可以进行ALE刻蚀，刻蚀温度最高可到400℃，适合三五族材料刻蚀。主要功能：三五族刻蚀，Si、Al 、氧化铝的ALE刻蚀。查看更多

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