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硅基ICP（PlasmaPro System 100）
设备分类：
刻蚀设备
型号：
ICP_ silicon PlasmaPro System 100
房间：
D115
简介：
基于等离子体进行材料干法刻蚀。用于Si材料刻蚀。如：220nmSOI、浅硅等，多种氧化硅刻蚀程序
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MA8 BA8掩膜对准紫外光刻机
设备分类：
光刻设备
型号：
MA8 BA8
房间：
D区1楼
简介：
MA8 BA8紫外曝光机可实现双面对准和接触式曝光功能。光刻机照射出紫外光，通过具有图形的掩膜版，对涂有光刻胶的晶圆曝光，利用感光后的光刻胶在溶液中的溶解速度不同实现图形转移。
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