微纳平台对外服务收费标准（校外）

最大基板尺寸5” x 5”；最大写入面积100 x 100mm；基板厚度0-15 mm；LED光源波段405nm，输出功率960mw；最小分辨率/结构尺寸0.5μm，最小线宽间距1μm；套刻对淮精度(>5x5mm2) [3σ, μm] ≤0.5；套刻对淮精度(>50x50mm2) [3σ, μm] ≤1；写入速度80mm⟡/min at 2μm；数据格式:DXF，CIF，GDSII 设备支持扫描曝光，灰度曝光，拖曳曝光多种曝光模式，阵列模式，支持128 阶3D灰度光刻。

曝光分辨率0.7微米，套刻精度正面0.3微米，背面0.5微米。光刻机/双面对准/最低分辨率0.7微米/加工尺寸：8/6/4/2英寸圆片及以下碎片；支持软接触/硬接触/接近/真空等曝光模式；光强均匀性（8英寸内）优于2.5%；波长：350-450纳米；显微物镜：5倍，10倍。最高分辨率0.7微米；正反面对准精度：背面 小于1.0微米，正面小于0.5微米；曝光面积：8英寸；背面对准：可见光 曝光；均匀性：8英寸范围内小于2.5%；曝光模式：软接触，硬接触，真空接触，接近式 具有计算机辅助对准的功能。

磁中性线放电极等离子体设备；用于高硬度材料干法刻蚀，铌酸锂刻蚀、浅硅刻蚀.支持8英寸及以下；气体种类O2、CHF3、Ar、C4F8、SF6、N2；LiNbO3 刻蚀 (200mm wafer, Si substrate, LNOI)；刻蚀速率>30nm/min侧壁角度>70°片内均匀性<±1%片间重复性<±1%；侧壁粗糙度增加<5nm对Cr或Ni选择比>3:1；Si刻蚀 (200mm wafer, SOI substrate or Si)；侧壁角度>90±1° 对PR选择比>5:1片内均匀性<±5%片间重复性<±3%；SiO2刻蚀、氮化硅刻蚀

离子束(辅助)沉积：使用离子源将靶材（金属或电介质）沉积或溅射到基片上，以形成金属或电介质膜；(反应)离子束刻蚀：利用离子束对基片表面进行精确的物理刻蚀或清洗，在刻蚀过程中通入反应气体，实现化学辅助的高效刻蚀; 用于制备极薄的阻挡层、低电阻率接触层，以及进行低损伤刻蚀；制备高致密度的金属或电介质薄膜，应用于精密光学和纳米技术研究。1、溅射源：Veeco公司6cm双栅网（铝）射频离子源及电源；三路进气控制(20sccm, 2个10sccm) ;2、清洗／刻蚀源：Veeco公司16cm三拥网（铝）射频离子源及电源水冷型靶材支架，可安装4个直径5英寸靶材；旋转8英寸工件盘，绑定1个直径6英寸无氧铜片，可背面加热至500度，单路Speedflo反应气体反馈控制系统。3、离子能量：100 eV to 2000 eV连续可调，在直径6英寸范围内薄膜均匀性优于±1.5%，镀膜重复性优于±1.5%；在直径6英寸范围内刻蚀均匀性优于±5%，刻蚀重复性优于±3%：

高质量锗硅光电子材料的生长，例如硅基Ge薄膜材料生长，Ge量子点的外延生长，硅基Si1-xGex量子阱的外延生长；1. 主腔室本底真空度小于1 X 10-10mbar；2. 主腔室的加热台兼容标准Omicron小样品、3"衬底;3. 衬底加热温度可到1470 ℃;4. 主腔室提供6个NW63CF（4.5" 外径）法兰和2个NW200CF（10" 外径）法兰用于连接蒸发源, 此外还提供10个法兰接口用于后续的流量监测、RHEED和光学实验。5. 快速进样室配备衬底存储盘，可存储6片衬底。

适配4英寸及以下晶圆，可完成平面、端面高精度研磨与抛光加工，可处理铌酸锂、氮化硅、Ⅲ‑V族材料、硅、二氧化硅等多种材料。设备配套平面磨抛夹具、端面磨抛夹具、研磨盘、抛光盘、各类测试量具、冲水组件、通风组件、触摸屏、厚度在线监测装置以及工艺耗材包、专用工具等全套配件。SiO₂样品磨抛后表面粗糙度Ra≤1 nm；4英寸标准硅片去除厚度片内均匀性TTV偏差±2μm；二氧化硅片端面抛光后100倍明场显微镜观察无崩边、倒角、划痕。支持0-240h连续定时工作；夹具厚度在线监测精度可达1μm；压力0-7kg可调，控制精度2g/cm²；摆臂摆幅、摆速独立可调，转速0-500rpm；端面磨抛可实现晶片定位、双侧边对齐，具备3×10mm、10×10mm、15×15mm、20×20mm标准粘接规格，支持其他尺寸定制，附带样品对准工具。研磨盘、抛光平盘直径305mm，基体为高强度铝合金，转速0-200rpm，端跳＜10μm；抛光头转速：0～500 rpm，速度可调，Ф100mm 晶片的总厚度偏差（TTV）在2微米以内，去除速率不低于300 nm/min。抛光头加压方式：真空抛光压头，抛光头：具备摆动功能；

用于晶圆划片道、芯片间距缝隙等微沟道的纳米材料（如纳米银、氧化硅、氮化铝等）直写填充，可实现优化互连可靠性、强化结构支撑、适配热 / 电性能、满足后道芯片加工工序需求，实现良好的Underfill效果。1、适应沟道尺寸：宽≥50μm、深≤50μm；可根据wafer及沟道尺寸等定制化开发；2、运动平台：气浮隔振、运动定位精度≤1μm；3、wafer基台：≤12英寸wafer，陶瓷基台平面度≤5μm、带真空吸附；4、基台旋转：重复定位精度≤±1arcsec；5、辅助视觉：定位视觉相机对位精度≤1μm，观测相机可检测距离；6、激光检测：自动扫描wafer晶圆，可自动晶圆寻边、识别沟道、规划直写填充路线；7、直写通道：1个、可扩展至2个，直写速度≤200mm/s。

基于高分辨率打印技术，可适应宽泛浆料粘度，具备高精度图案打印与原位芯片贴装功能，可提供电子器件一体制造解决方案（如焊料注入+贴装、电路打印+贴片）；1、具备微纳图案、微米级线路、焊点等打印功能，涵盖各类金属纳米墨水、纳米银浆、聚合物、光刻胶、胶粘剂、CNT、石墨烯、蛋白质等，广泛应用于印刷电子、生物医药、光电显示、能源、材料等领域。2、具备0.2mm-2mm尺寸的芯片/器件贴装功能，支持Mark点自动识别并对位纠偏、芯片焊盘自动识别、芯片自动识别。集成热压键合、UV固化等功能。适应打印材料：粘度1-100000cps；焊料适应芯片尺寸0402、0201等、尺寸0.2mm-2mm；调节精度1kPa焊料注入；打点速率≥5点/s；打印线宽/点≥5μm, 速度≤200mm/s；重复精度≤3μm；原位贴装精度≤10μm。

1. 提供有效的大尺寸超薄芯片与晶圆倒装键合解决方案；2. 多区域顶取装置实现快速剥离，避免超薄芯片翘曲破损；3. 可定制旋流拾取方案，实现芯片气流悬浮和无损转移；4. 球面贴装头设计，实现大尺寸超薄芯片无气泡贴装键合；5. 原位上/下视觉精准定位技术，确保高精度键合与良率；
1.大尺寸超薄芯片（不大于13mm*13mm，厚≤30μm）的无损剥离、非接触拾取、无损转移与高精度贴装键合等；2. wafer基台：专业级wafer chuck，真空吸附采用微孔陶瓷/氮化硅材料，平面度≤1μm；3. 基台旋转：重复定位精度≤±1arcsec；4. 运动平台：气浮隔振，运动定位精度≤0.5μm，隔振效果10Hz以下；5. 键合精度：辅助原位上/下视定位相机，可多自由度高精度调节贴装头芯片姿态，实现贴装精度≤±1μm；6. 精密视觉对位：精度≤1um；7. 芯片剥离：采用多顶片剥离技术，无损剥离超薄大芯片；8. 拾取转移：可定制旋流拾取，通过气流悬浮芯片，实现无接触式转移；9. 贴装键合：采用自研微型球面贴装头，吸取超薄芯片成微球面，从芯片中心-边缘逐渐贴合，确保无气泡贴装与高可靠键合；10. 适应晶圆尺寸：≤12英寸；11. 设备洁净度：具备净化系统，确保百级洁净环境

利用金属的电解沉积原理来精确复制某些复杂或特殊形状的器件，并且可以无限增加金属厚度，且镀膜速度快。1）电镀金可用于集成电路芯片封装的各个环节，如引线框架镀金、芯片管脚镀金、焊球连接等。2）电镀铜提供晶圆及微纳样品酸性图形化电镀铜加工服务，可实现导电布线、厚铜沉积、通孔填充、金属立柱与电极制备。3）锡银电镀液可沉积均匀致密锡银合金镀层，具备优良可焊性、导电导热性与防腐抗氧化能力，环保无铅，能够有效防止锡须产生，满足精密元器件电镀防护与焊接使用需求。技术指标Au电镀槽电镀厚度均匀性优于5%，电镀厚度重复性优于5%；Cu电镀槽厚度均匀性：±8%，电镀厚度重复性优于5%，表面粗糙度：Ra ≤0.8μm；SnAg槽电镀槽厚度均匀性优于±6%，电镀厚度重复性优于5%，银含量：0.3%–1.2%（质量）；注意事项：1.不导电基体需要有Au种子层，杂质基体会使得工艺时间加长。提前与工艺工程师沟通。2.铜等导电性能好的基体无需Au种子层，但需用光刻胶封住基体非电镀区域以保证电镀区域工艺。3.基体结束光刻工艺后，需用等离子去胶机处理。4.电镀前对工件处理洁净到位。（材料费：Au:2寸及以下：240元/微米；4寸:480元/微米；6寸 :960元/微米；8寸:1920元/微米；
Cu：2寸及以下：70元/微米；4寸80元/微米；6寸90元/微米；8寸100 元/微米；SnAg：2寸及以下：90元/微米；4寸100元/微米；6寸110元/微米；8寸120 元/微米）

可进行高精度的粗糙度、台阶高度及微纳米级别三维轮廓等测量，同时可以测量相位、电场、磁场等其他各种高级物理量；XY方向扫描范围：最大100μm×100μm，XY线性度<0.1%；Z方向扫描范围：最大15μm；系统高度噪音≤25pm；样品大小：≤240mm × 240mm;样品厚度：≤45mm；*成像模式：包括接触式、非接触式、横向力/摩擦力显微镜、导电原子力显微镜、磁力显微镜、开尔文探针、扫描热原子力显微镜等；
普通形貌测试探针由平台提供，高深宽比结构和其他模式需要提前说明

SEM-FIB，能进行各种固态样品表面形貌的二次电子像、背散射电子像观察及图像处理，可对材料进行微纳米表征、微纳加工和TEM样品定点制备等。能谱仪EDS可用于样品表面和一定深度的元素定量、定性分析，多元素面扫描和线扫描分布测量。能力参数：1、离子镜筒部分（Ga离子源）：束流强度：1pA–100nA，离子束分辨率：30kV时2.5nm（统计分辨率），离子束加速电压范围：500V-30kV，最大视野：1mm@10kev；2、电子镜筒部分：电子枪：热场发射电子枪，电子束最佳分辨率：15kV时0.6nm； 1kV 时0.9nm，电子束在离子束交汇点分辨率:15kV时0.9 nm,1kV时2nm，电子束束流：2pA-400nA，视野范围：4.3mm@WD=5mm,>10mm在最大工作距离时；3、样品全观察范围：8英寸晶圆。4、样品台和样品室 Z轴移动行程：样品台倾斜范围：-10°到+ 60°旋转：计算机控制优中心360°，最大样品高度：132mm（不安装旋转台） 最大样品尺寸：直径 180mm；5 、配置样品交换仓load lock；6、气体注入系统，Ga离子源，Pt源；7、机械手 机械手行程范围X=11mm, Y=6mm， Z=12mm，移动精度达到5nm，移动速度100 nm/s~ 3 mm/s。8、探测器部分 配备样品室ETD探测器 样品室可伸缩背散射电子探测器 镜筒内探测器2个，分别为镜筒内轴向探测器和镜筒内多功能探测器 配备STEM探测器，分辨率0.5nm@30kv；9、电致冷能谱仪 电制冷探测器，有效晶体面积60mm2，超薄窗设计，独立真空；能量分辨率：在100,000CPS条件下Mn Ka保证优于127eV，轻元素分辨率：C-K/57eV, F-K/67eV； 元素分析范围Be4～Cf98；SEM收费包含EDS分析

已知入射光的偏振态，偏振光在样品表面被反射，测量得到反射光的偏振态、幅度、相位，拟合得出材料的折射率和消光系数等光学常数信息。1)测量对象包括金属、半导体、介电材料、有机高分子聚合物、绝缘体、磁性材料、各项同性和各向异性材料等，2) 能够进行薄膜材料的厚度分析和各种光电材料的光学常数分析（折射率n和消光系数k）；技术参数：光谱范围：210nm-2500nm；微光斑直径：150μm；入射角度：45度-90度；自动变角，自动俯仰，自动样品台，样品台直径：200mm。参数测试准确性：在直射状态下，测量光束Psi＝45°±0.03° ，Delta=0°±0.08°；退偏振：0%±0.5%；膜厚重复性优于0.005nm（30次SiO2厚度测量的标准偏差，样品为约25nm热生长SiO2的硅片）；15个归一化穆勒矩阵元。送样注意事项：1.确保样品上下表面平整，确保被测表面光滑，测试时能有反射光束被接收；2.确保被测区域面积大于5mm2；3.多层膜结构测量时，需提供基底和层层递进的每个样品模型；4.金属膜厚度测量不能超过30nm；5.非透明衬底上生长的金属膜测量时，需提供中间膜层300-1000nm热氧SiO2 的样片；

主要用于测试薄膜样品的吸光度、透射率、反射率。带漫反射模式。技术指标：1. 配备卤钨灯和氘灯光源；2. 波长范围：175-3300nm；3. 杂散光：<0.00002%T (340nm, NaNO2)；4.光学系统：双光束、全息光栅；紫外/可见光栅刻线密度为1440条/mm，近红外光栅刻线密度为360条/ mm；5. 分辨率:＜0.05nm；6. 100mm积分球1个；注意事项：1.样品大小要求：2D detector Module附件：测试反射样品大小至少1.5*2.5cm；测试透射样品大小至少1*1cm；积分球附件：测透射样品大小至少2cm*2.5cm，测反射样品大小至少2cm*2.5cm；2.样品测试前，仪器需预热15-20分钟。

型号：EVO-10 分辨率：二次电子：3nm（30kv）；背散射电子像：4.5nm（30kv） 样品制备SEM样品标准1、 待测样品不可太重，样品尽量小； 2、 不可做磁性和易磁化的样品； 3、 不可做疏松样品； 4、 禁止测有机物、生物样品以及任何含水含油样品、活体样品； 5、 易潮解样品请提前真空干燥处理； 6、 样品中含有毒素、有毒化合物及挥发性化合物，均不测试，若未提前告知相关样品的情况而造成的后果，包括人身和一起损害均由送样人权权负责。 7、 不导电或导电性差的样品，测试前需喷金处理。