化学机械抛光机 AP-200

生产厂家：

韩国 CTS

仪器介绍：

在芯片微细化和互连多层化的趋势下，CMP工艺是集成电路制造的核心技术，各类器件在往三维方向上发展，图案化后进行材料的填充，将会导致表面的不平整，多层之后台阶高度叠加，导致后续无法继续进行三维堆叠，因此需要抛光工艺将多余的材料去除，即CMP，将填充的多余的材料去除，保证三维堆叠的可行性。CMP设备主要用于CMP工艺中，实现所生长材料的研磨，去除多余材料，保证单层工艺结束后表面的平整性，利于后续多层的堆叠。

主要功能：

该设备主要应用于晶圆制造、半导体制作以及MEMS器件制作工艺过程中SiO₂薄膜，SiN₃薄膜以及Si衬底等的平坦化和减薄工艺。利用不同颗粒度或pH值的抛光液，对所要抛光的样品进行物理和化学的精细抛光处理，使样品的厚度及表面粗糙度到达所要求范围，对晶片表面实现精细抛光处理。

技术指标：

（1）片内均匀性：使用SiO₂抛光recipe，WIWNU ≤5%

（2）片间均匀性：使用SiO₂ recipe，WTWNU < 3%

（3）抛光后粗糙度：抛光后表面粗糙度Ra < 0.5 nm；

（4）去除量：SiO2 (@ TEOS ): 300±40 nm/min;

（5）抛光头压力控制方式：为了得到良好的抛光效果，抛光头施加的压力

采用分区压力控制。分为核心区，边缘区，保持环3区

（6）抛光头压力控制范围：0.15 psi-14 psi;

（7）抛光头最大转速范围：180 rpm；

（8）抛光头摆动幅度：采用直驱电机，抛光头摆动幅度：±15 mm

（9）修整器修整速度：10 sweep/min

（10）修整盘转速：0-150 rpm

（11）抛光盘最大转速：180 rpm

（12）修整盘下压力：3-201 bf
注意事项：加工样品尺寸仅限 8英寸、6英寸、4英寸的晶圆

价格：

校外：1200元/60分钟

校内：800元/60分钟

单位预约时间：30 (单位:分钟)

状态：正常

设备大图：