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中文名：CMP后清洗设备 |
英文名：CMP Wet Process System |
仪器型号：CHEMIXX CMP 30pm |
设备分类：清洗设备 |
房间：D118 |
负责人：彭国璐 |
生产厂家：
德国 Osiris
仪器介绍：
在CMP制备过程中，由于化学反应和研磨微粒的存在，必然会引入表面沾污因此在晶片表面全局平坦化后，必须进行有效清洗。CMP后清洗机具备PVA双面刷洗，4路化学液清洗，兆声清洗喷嘴，多孔去离子水喷嘴，背部冲洗喷嘴，N2吹扫喷嘴，高速甩干功能，同时集成SC1,SC2自动混液系统，可避免人工混液带来的危险。RF射频电源提供兆声能量，配套1MHz脉冲喷射兆声清洗喷嘴，去离子水通过兆声喷嘴产生兆声波能量，兆声波能量伴随去离子水分布到晶圆表面，在损伤阈值上的最大能量均匀分布于晶圆表面，实现无损清洗。
主要功能：
该设备主要应用于晶圆制造、半导体制作以及光学器件制作工艺过程中SiO2薄膜，Si3N4薄膜以及Si衬底等的平坦化抛光加工后的无损清洗。
技术指标：
（1）PVA刷子转速：0-100rpm
（2）清洗机双面夹具转速：0-100rpm
（3）高速甩干转速：0-1500rpm
（4）全自动化学液臂，通过软件可设置流量，流速，工艺时间等参数
（5）清洗机电机转速: 最大 6.000rpm，步长1rpm，可编程
（6）工艺时间: 1 - 999.9 秒，步长 0.1 s，可编程
注意事项：加工样品尺寸仅限 8英寸、6英寸、4英寸的晶圆。
价格：
校外： 200元/60分钟（纯水清洗） 900元/60分钟（SC1，SC2溶剂清洗）
校内： 100元/60分钟（纯水清洗） 600元/60分钟（SC1，SC2溶剂清洗）
单位预约时间：30 (单位:分钟)
状态：正常
设备大图：
